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意法半(ban)導體新推(tui)出的SLLIMM?-nano智能功率(lv)模塊(kuai)(IPM)引入新的封裝(zhuang)類型，并集成更多元器件，加快300W以下低功率(lv)電機驅(qu)動器研發，簡化組裝(zhuang)過(guo)程。

3A和5A 模塊內置當(dang)前*********的600V超結MOSFET，最大限度(du)提升(sheng)空氣壓縮機、風扇、泵等設備的能效。各種(zhong)直列引腳(jiao)或Z形引腳(jiao)封裝有(you)助(zhu)于優化空間占用(yong)率，確保(bao)所需(xu)的引腳(jiao)間距。內部開孔選(xuan)項讓低價散熱器的安裝更容易。此外，發(fa)射極開路(lu)輸出分開設計可簡(jian)化PCB板單路(lu)或三路(lu)Shunt (分流(liu)電阻(zu))電流(liu)監視走線。

每個(ge)IPM模塊都包含由(you)六(liu)支(zhi)MOSFET組成的(de)(de)三相(xiang)半(ban)橋和(he)(he)一(yi)個(ge)高(gao)壓柵(zha)驅動芯(xin)片。新(xin)增功能有助于簡(jian)化保(bao)護電路(lu)和(he)(he)防錯電路(lu)設計，包括(kuo)一(yi)個(ge)用于檢測電流的(de)(de)未使用的(de)(de)運(yun)放(fang)、用于高(gao)速錯誤保(bao)護電路(lu)的(de)(de)比較器和(he)(he)用于監視(shi)溫度(du)的(de)(de)可選的(de)(de)NTC (負溫度(du)系數)熱敏電阻(zu)，還集成一(yi)個(ge)自舉二極管(guan)，以降低(di)物料清單(BOM)成本(ben)，簡(jian)化電路(lu)板(ban)布局(ju)設計。智能關(guan)斷電路(lu)可保(bao)護功率開關(guan)管(guan)，欠壓鎖保(bao)護(UVLO)預防低(di)Vcc或Vboot電壓引起的(de)(de)功能失效。

超結(jie)MOSFET在25°C時通態電(dian)(dian)(dian)阻只(zhi)有1.0?，最(zui)大 1.6? ，低(di)(di)電(dian)(dian)(dian)容和(he)(he)低(di)(di)柵電(dian)(dian)(dian)荷可最(zui)大限度降低(di)(di)通態損耗(hao)和(he)(he)開關(guan)(guan)損耗(hao)，從而提升(sheng)20kHz以下硬開關(guan)(guan)電(dian)(dian)(dian)路的能效，包括(kuo)各種(zhong)工(gong)業電(dian)(dian)(dian)機(ji)驅動器，準許低(di)(di)功率應用無需使用散熱器。此外，優(you)化(hua)的開關(guan)(guan)di/dt和(he)(he)dV/dt上(shang)升(sheng)速率確保(bao)EMI干擾(rao)處于一個較(jiao)低(di)(di)的級別，可以進一步(bu)簡化(hua)電(dian)(dian)(dian)路的設(she)計(ji)布局。

新模(mo)塊的最高(gao)(gao)額定結溫是150°C，取得了UL 1557認證，電(dian)絕緣級(ji)別高(gao)(gao)達(da)1500Vrms/min。